Tiristore di commutazione rapida

Descrizzione:

Tiristori di commutazione rapida, cù a listessa struttura è simbulu di tiristori di cuntrollu di fasi, mentre chì e caratteristiche statiche megliu, in particulare e caratteristiche dinamiche, sò richieste da l'applicazione di alta frequenza di rettificazione, chopping, inverter è circuitu di cunversione di frequenza.I paràmetri dinamichi di u tiristore veloce sò a velocità di accensione rapida è a velocità di espansione di accensione, menu carica di ricuperazione inversa, è brevi tempi di spegnimentu, alta velocità di crescita critica di corrente in u statu (di/dt) è tasso criticu di Aumento di tensione off-state (dv/dt).A corrente nominale di u tiristore veloce in a frequenza nominale ùn diminuisce micca o diminuisce un pocu quandu a frequenza aumenta.

U standard di fabricazione di tiristori rapidi è a tecnulugia di trasfurmazione di RUNAU Electronics hè statu introduttu da i Stati Uniti dapoi l'anni 1980, cum'è un pioniere di a fabricazione di tiristori in Cina, a squadra tecnica di RUNAU avia acquistatu a cunniscenza di punta è una vasta sperienza di fabricazione per più di 30 anni.Nantu à a basa di u prucessu di fabricazione tradiziunale, i tecnichi di talentu di RUNAU Electronics avianu sviluppatu a tecnulugia di l'arti di u statu in a fabricazione di tiristori cù caratteristiche vantaghji di i prudutti europei, a qualità è a prestazione sò migliurate assai, più grande vittorie ottenute in l'applicazioni di l'elettronica di putere. è più valore hè statu creatu per i partenarii.

Introduzione:

1. Chip

U chip tiristore fabbricatu da RUNAU Electronics hè una tecnulugia di lega sinterizzata impiegata.Le wafer de silicium et de molybdène a été fritté pour l'alliage par de l'aluminium pur (99,999 %) sous un vide élevé et un environnement à haute température.L'amministrazione di e caratteristiche di sinterizzazione hè u fattore chjave per influenzà a qualità di tiristori.U sapè fà di RUNAU Electronics in più di gestisce a prufundità di junction di lega, flatness superficia, cavità di lega oltri cumpetenze diffusion piena, mudellu anellu circulu, struttura porta spiciali.Ancu u prucessu speciale hè statu impiegatu per riduce a vita di u trasportatore di u dispusitivu, in modu chì a velocità di ricombinazione di u trasportatore internu hè assai accelerata, a carica di ricuperazione inversa di u dispusitivu hè ridutta, è a velocità di cunversione hè migliurata in cunseguenza.Tali misurazioni sò state applicate per ottimisà e caratteristiche di cunversione veloce, e caratteristiche di u statu, è a pruprietà di corrente di surge.U funziunamentu è u funziunamentu di cunduzzione di tiristori hè affidabile è efficiente.

2. Incapsulazione

Per un cuntrollu strettu di a piattezza è u parallelismu di l'ostia di molibdenu è u pacchettu esternu, u chip è l'ostia di molibdenu seranu integrate cù u pacchettu esternu strettamente è cumpletamente.Tali ottimisà a resistenza di u currente di surge è l'alta corrente di cortu circuitu.È a misurazione di a tecnulugia di evaporazione di l'elettroni hè stata aduprata per creà una pellicola d'aluminiu spessa nantu à a superficia di wafer di siliciu, è a strata di ruteniu placcata nantu à a superficia di molibdenu aumenterà assai a resistenza di fatica termica, u tempu di vita di u travagliu di u tiristore di commutazione rapida serà aumentatu significativamente.

Specificazione tecnica

1. Tiristor à commutazione rapida cù chip di tipu in lega fabbricatu da RUNAU Electronics, gamma di I_TAVda 200A à 4000A è V_DRM/V_RRMda 1200V à 4500V.
2. I_GT, V_GTè eiu_Hsò i valori di prova à 25 ℃, salvu s'ellu hè dettu altrimenti, tutti l'altri parametri sò i valori di test sottu T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Larghezza di base di corrente a mezz'onda sinusoidale.À 50 Hz, I²t = 0,005 I²FSM (A²S);
4. À 60 Hz: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;I²t (8,3 ms) = I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametru: