Tiristori di commutazione rapida (serie YC di altu standard)

Descrizzione

U standard di fabricazione GE è a tecnulugia di trasfurmazioni hè statu introduttu è impiegatu da RUNAU Electronics da l'anni 1980.A cundizione cumpleta di fabricazione è di prova coincideva cumplettamente cù l'esigenza di u mercatu USA.Cum'è un pioniere di a fabricazione di tiristori in Cina, RUNAU Electronics avia furnitu l'arti di i dispositi elettronichi di putere statali à i Stati Uniti, i paesi europei è l'utilizatori mundiali.Hè altamente qualificata è valutata da i clienti è più grandi vittorie è valore sò stati creati per i partenarii.

Introduzione:

1. Chip

U chip tiristore fabbricatu da RUNAU Electronics hè una tecnulugia di lega sinterizzata impiegata.Le wafer de silicium et de molybdène a été fritté pour l'alliage par de l'aluminium pur (99,999 %) sous un vide élevé et un environnement à haute température.L'amministrazione di e caratteristiche di sinterizzazione hè u fattore chjave per influenzà a qualità di tiristori.U sapè fà di RUNAU Electronics in più di gestisce a prufundità di junction di lega, flatness superficia, cavità di lega oltri cumpetenze diffusion piena, mudellu anellu circulu, struttura porta spiciali.Ancu u prucessu speciale hè statu impiegatu per riduce a vita di u trasportatore di u dispusitivu, in modu chì a velocità di ricombinazione di u trasportatore internu hè assai accelerata, a carica di ricuperazione inversa di u dispusitivu hè ridutta, è a velocità di cunversione hè migliurata in cunseguenza.Tali misurazioni sò state applicate per ottimisà e caratteristiche di cunversione veloce, e caratteristiche di u statu, è a pruprietà di corrente di surge.U funziunamentu è u funziunamentu di cunduzzione di tiristori hè affidabile è efficiente.

2. Incapsulazione

Per un cuntrollu strettu di a piattezza è u parallelismu di l'ostia di molibdenu è u pacchettu esternu, u chip è l'ostia di molibdenu seranu integrate cù u pacchettu esternu strettamente è cumpletamente.Tali ottimisà a resistenza di u currente di surge è l'alta corrente di cortu circuitu.È a misurazione di a tecnulugia di evaporazione di l'elettroni hè stata aduprata per creà una pellicola d'aluminiu spessa nantu à a superficia di wafer di siliciu, è a strata di ruteniu placcata nantu à a superficia di molibdenu aumenterà assai a resistenza di fatica termica, u tempu di vita di u travagliu di u tiristore di commutazione rapida serà aumentatu significativamente.

Specificazione tecnica

1. Tiristori di commutazione rapida cù chip di tipu di lega fabbricatu da RUNAU Electronics capace di furnisce i prudutti cumpletamente qualificati di u standard USA.
2. I_GT, V_GTè eiu_Hsò i valori di prova à 25 ℃, salvu s'ellu hè dettu altrimenti, tutti l'altri parametri sò i valori di test sottu T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Larghezza di base di corrente a mezz'onda sinusoidale.À 50 Hz, I²t = 0,005 I²FSM (A²S);
4. À 60 Hz: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;I²t (8,3 ms) = I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametru: