Chip diodu di rettificatore

Descrizione breve:

Standard:

Ogni chip hè testatu à TJM , l'ispezione aleatoria hè strettamente pruibita.

Eccellente coerenza di i paràmetri di chips

 

Features:

Bassa caduta di tensione in avanti

Forte resistenza à a fatigue termica

L'épaisseur de la couche d'aluminium cathodique est supérieure à 10 µm

Prutezzione doppia strata nantu à a mesa


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Rectifier Diode Chip

U chip di diodu di rettificatore fabbricatu da RUNAU Electronics hè statu inizialmente introduttu da u standard di trasfurmazione GE è a tecnulugia chì cumpleta cù u standard di l'applicazione USA è qualificata da i clienti in u mondu sanu.Hè prisentatu in forte caratteristiche di resistenza à a fatigue termica, longa vita di serviziu, alta tensione, grande corrente, forte adattabilità ambientale, etc. Ogni chip hè pruvatu à TJM, l'ispezione aleatoria hè strettamente micca permessa.A selezzione di cunsistenza di i paràmetri di chips hè dispunibule per esse furnita secondu u requisitu di l'applicazione.

Parametru:

Diamitru
mm
Spessore
mm
Tensione
V
Cathode Out Dia.
mm
Tjm
17 1,5 ± 0,1 ≤2600 12.5 150
23.3 1,95 ± 0,1 ≤2600 18.5 150
23.3 2,15 ± 0,1 4200-5500 16.5 150
24 1,5 ± 0,1 ≤2600 18.5 150
25.4 1,4-1,7 ≤3500 19.5 150
29.72 1,95 ± 0,1 ≤2600 25 150
29.72 1,9-2,3 2800-5500 23 150
32 1,9 ± 0,1 ≤2200 27.5 150
32 2±0,1 2400-2600 26.3 150
35 1,8-2,1 ≤3500 29 150
35 2,2 ± 0,1 3600-5000 27.5 150
36 2,1 ± 0,1 ≤2200 31 150
38.1 1,9 ± 0,1 ≤2200 34 150
40 1,9-2,2 ≤3500 33.5 150
40 2,2-2,5 3600-6500 31.5 150
45 2,3 ± 0,1 ≤ 3000 39.5 150
45 2,5 ± 0,1 3600-4500 37.5 150
50.8 2.4-2.7 ≤4000 43.5 150
50.8 2,8 ± 0,1 4200-5000 41.5 150
55 2.4-2.8 ≤4500 47.7 150
55 2.8-3.1 5200-6500 44.5 150
63.5 2.6-3.0 ≤4500 56.5 150
63.5 3.0-3.3 5200-6500 54.5 150
70 2.9-3.1 ≤3200 63.5 150
70 3,2 ± 0,1 3400-4500 62 150
76 3,4-3,8 ≤4500 68.1 150
89 3,9-4,3 ≤4500 80 150
99 4,4-4,8 ≤4500 89.7 150

Specifica tecnica:

RUNAU Electronics furnisce chips semiconduttori di putenza di diodi di rettificatore è diodi di saldatura.
1. Low voltage drop-statu
2. A metallizazione d'oru serà appiicata per migliurà a pruprietà conduttiva è dissipazione di calore.
3. Mesa di prutezzione doppia strata

Cunsiglii:

1. Per esse u megliu rendimentu, u chip deve esse guardatu in azotu o cundizione di vacuum per impediscenu u cambiamentu di tensione causatu da l'ossidazione è l'umidità di pezzi di molibdenu.
2. Mantene sempre a superficia di chip pulita, per piacè portate guanti è ùn toccu u chip cù mani nude
3. Operate cù cura in u prucessu di usu.Ùn dannu micca a superficia di u bordu di resina di u chip è a capa d'aluminiu in l'area di u polu di a porta è u catodu
4. In teste o incapsulation, per piacè nutate chì u parallelismu, a flatness è a forza di clamp l'attrezzu deve esse coincide cù i normi specificati.U parallelismu poviru risultatu in una pressione irregolare è danni di chip per forza.Se l'eccessu di forza di clamp impone, u chip serà danatu facilmente.Se a forza di clamp imposta hè troppu chjuca, u poviru cuntattu è a dissipazione di u calore affettanu l'applicazione.
5. U bloccu di pressione in cuntattu cù a superficia di cathode di u chip deve esse annealed

Cunsigliu Clamp Force

Dimensione di chips Cunsigliu di forza di pinza
(KN)±10%
Φ25.4 4
Φ30 o Φ30.48 10
Φ35 13
Φ38 o Φ40 15
Φ50,8 24
Φ55 26
Φ60 28
Φ63,5 30
Φ70 32
Φ76 35
Φ85 45
Φ99 65

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