I riferimenti normativi applicati da Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co in a produzzione di diodi di saldatura eranu i seguenti:
1. GB / T 4023-1997 Dispositivi Discreti Di Dispositivi Semiconductor è Circuiti Integrati Part 2: Rectifier Diodes
2. GB/T 4937-1995 Metudu di Test Mecànicu è Climaticu Per Dispositivi Semiconductor
3. JB/T 2423-1999 Power Semiconductor Devices - Metudu di Mudelle
4. JB / T 4277-1996 Power Semiconductor Device Packaging
5. JB/T 7624-1994 Rectifier Diode Test Method
Mudellu è taglia
1. Nome di u mudellu: U mudellu di u diodu di saldatura si riferisce à i rigulamenti di JB/T 2423-1999, è u significatu di ogni parte di u mudellu hè mostratu in a Figura 1 sottu:
2. Simbuli gràfiche è identificazione (sub) terminal
I simboli grafichi è l'identificazione di u terminal sò mostrati in a Figura 2, a freccia punta à u terminal di cathode.
3. Forma è dimensioni di stallazione
A forma di u diodu saldatu hè cunvessu è di tippu di discu, è a forma cù a dimensione deve risponde à i requisiti di a Figura 3 è a Tabella 1.
| Articulu | Dimensioni (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Flange cathodique (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Cathode è anode Mesa (D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Diametru massimu di l'anellu ceramicu (D2max) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Spessore totale (A) | 8 ± 1 | 8 ± 1 | 13 ± 2 |
| Pocu di pusizioni di muntagna | Diametru di u foru: φ3.5±0.2mm, Profundità di u foru: 1.5±0.3mm | ||
Valutazione è caratteristiche
1. Livellu paràmetru
A serie di voltage di punta ripetitiva inversa (VRRM) hè cum'è specificata in a Tabella 2
Table 2 Livellu di tensione
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| Livellu | 02 | 04 |
2. Valori limite
Les valeurs limites doivent être conformes au tableau 3 et s'appliquer à toute la gamme de températures de fonctionnement.
Table 3 Valore limite
| Valore limite | Simbulu | Unità | Valore | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW 18000 | |||
| Temperature di casu | Tcase | ℃ | -40~85 | |||
| Temperatura di giunzione equivalente (max) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Temperature di almacenamiento | Tstg | ℃ | -40~170 | |||
| Tensione inversa di punta ripetitiva (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Tensione di punta inversa non ripetitiva (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Corrente media in avanti (max) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Corrente di picco in avanti (non ripetitiva) (max) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (max) | I² t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Forza di muntagna | F | kN | 22 ~ 24 | 30~35 | 45~50 | 52 ~ 57 |
3. Valori caratteristiche
Table 4 Max valori caratteristiche
| Carattere è cundizione | Simbulu | Unità | Valore | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW 18000 | |||
| Tensione di punta in avanti IFM= 5000 A, Tj= 25 ℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Corrente di punta ripetitiva inversa Tj= 25 ℃, Tj= 170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Resistenza termica Junction-to-case | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Nota: per esigenze speciali, cunsultate | ||||||
Udiodu di saldaturapruduciutu da Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor hè largamente appiicata in saldatura di resistenza, saldatura media è alta frequenza sin'à 2000Hz o sopra.Cù una tensione di punta in avanti ultra-bassa, resistenza termale ultra-bassa, tecnulugia di fabricazione di punta, capacità di sustituzione eccellente è prestazione stabile per l'utilizatori globale, u diodu di saldatura da Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor hè unu di i dispositi più affidabili di a putenza cinese. prudutti di semiconductor.
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