Tiristori di cuntrollu di fase (Tipu di lega)

Descrizzione:

Thyristor, cunnisciutu ancu com'è Silicon Control Rectifier (SCR), hè un dispositivu semiconductor d'alta putenza custituitu di trè strutture PN.In termini di prestazione, u tiristore ùn hè micca solu una conduttività unidirezionale, ma hà ancu una cuntrullabilità più preziosa chì l'elementu di rectificatore di siliciu, chì solu dui stati di cunduzzione è off-state, per cuntrullà una grande putenza cù una piccula putenza, amplificazione di putenza finu à centinaie o. millaie di volte.A reazione hè assai rapida, accende è spegne in micro-secondi.Funzionamentu senza cuntattu, senza scintille, senza rumore, mentri alta efficienza è pocu costu.Per quessa, soprattuttu in u sistema di supply high power, tiristore hè statu largamente utilizatu in u circuitu di rettificatore, l'interruttore di bypass staticu, u switch di output senza cuntattu è altri circuiti.

U standard di fabricazione di tiristori è a tecnulugia di trasfurmazioni di RUNAU Electronics hè statu introduttu da i Stati Uniti dapoi l'anni 1980, cum'è un pioniere di a fabricazione di tiristori in Cina, a squadra tecnica di RUNAU avia acquistatu a cunniscenza di punta è una vasta sperienza di fabricazione per più di 30 anni.Nantu à a basa di u prucessu di fabricazione tradiziunale, i tecnichi di talentu di RUNAU Electronics avianu sviluppatu a tecnulugia di l'arti di u statu in a fabricazione di tiristori cù caratteristiche vantaghji di i prudutti europei, a qualità è a prestazione sò migliurate assai, più grande vittorie ottenute in l'applicazione di l'elettronica di putere. campi, è più valore hè statu creatu per i partenarii.

Introduzione:

1. Chip

U chip tiristore fabbricatu da RUNAU Electronics hè una tecnulugia di lega sinterizzata impiegata.Le wafer de silicium et de molybdène a été fritté pour l'alliage par de l'aluminium pur (99,999 %) sous un vide élevé et un environnement à haute température.L'amministrazione di e caratteristiche di sinterizzazione hè u fattore chjave per influenzà a qualità di tiristori.U sapè fà di RUNAU Electronics in più di gestisce a prufundità di junction di lega, flatness di a superficia, cavità di lega cum'è cumpetenze di diffusione cumpleta, porta di u centru, pattern circle ring sò stati applicati per attivà u funziunamentu di cunduzzione affidabile è d'alta efficienza di tiristori, in ordine per assicura un rendimentu di alta qualità.

2. Incapsulazione

Per un cuntrollu strettu di a piattezza è u parallelismu di l'ostia di molibdenu è u pacchettu esternu, u chip è l'ostia di molibdenu seranu integrate cù u pacchettu esternu strettamente è cumpletamente.Tali ottimisà a resistenza di u currente di surge è l'alta corrente di cortu circuitu.È a misurazione di a tecnulugia di evaporazione di l'elettroni hè stata aduprata per creà una pellicola d'aluminiu spessa nantu à a superficia di wafer di siliciu, è a strata di ruteniu placcata nantu à a superficia di molibdenu aumenterà assai a resistenza di fatica termica, u tempu di vita di u travagliu di tiristori serà aumentatu significativamente.

Specificazione tecnica

1. Tiristore à fase cuntrullata cù chip di tipu di lega fabbricatu da RUNAU Electronics, gamma di I_TAVda 300A à 6000A è V_DRM/V_RRMda 800V à 4400V.
2. I_GT, V_GTè eiu_Hsò i valori di prova à 25 ℃, salvu s'ellu hè dettu altrimenti, tutti l'altri parametri sò i valori di test sottu T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Larghezza di base di corrente a mezz'onda sinusoidale.À 50 Hz, I²t = 0,005 I²FSM (A²S);
4. À 60 Hz: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;I²t (8,3 ms) = I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametru: