U chip di diodu di rettificatore fabbricatu da RUNAU Electronics hè statu inizialmente introduttu da u standard di trasfurmazione GE è a tecnulugia chì cumpleta cù u standard di l'applicazione USA è qualificata da i clienti in u mondu sanu.Hè prisentatu in forte caratteristiche di resistenza à a fatigue termica, longa vita di serviziu, alta tensione, grande corrente, forte adattabilità ambientale, etc. Ogni chip hè pruvatu à TJM, l'ispezione aleatoria hè strettamente micca permessa.A selezzione di cunsistenza di i paràmetri di chips hè dispunibule per esse furnita secondu u requisitu di l'applicazione.
Parametru:
Diamitru mm | Spessore mm | Tensione V | Cathode Out Dia. mm | Tjm ℃ |
17 | 1,5 ± 0,1 | ≤2600 | 12.5 | 150 |
23.3 | 1,95 ± 0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
23.3 | 2,15 ± 0,1 | 4200-5500 | 16.5 | 150 |
24 | 1,5 ± 0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
25.4 | 1,4-1,7 | ≤3500 | 19.5 | 150 |
29.72 | 1,95 ± 0,1 | ≤2600 | 25 | 150 |
29.72 | 1,9-2,3 | 2800-5500 | 23 | 150 |
32 | 1,9 ± 0,1 | ≤2200 | 27.5 | 150 |
32 | 2±0,1 | 2400-2600 | 26.3 | 150 |
35 | 1,8-2,1 | ≤3500 | 29 | 150 |
35 | 2,2 ± 0,1 | 3600-5000 | 27.5 | 150 |
36 | 2,1 ± 0,1 | ≤2200 | 31 | 150 |
38.1 | 1,9 ± 0,1 | ≤2200 | 34 | 150 |
40 | 1,9-2,2 | ≤3500 | 33.5 | 150 |
40 | 2,2-2,5 | 3600-6500 | 31.5 | 150 |
45 | 2,3 ± 0,1 | ≤ 3000 | 39.5 | 150 |
45 | 2,5 ± 0,1 | 3600-4500 | 37.5 | 150 |
50.8 | 2.4-2.7 | ≤4000 | 43.5 | 150 |
50.8 | 2,8 ± 0,1 | 4200-5000 | 41.5 | 150 |
55 | 2.4-2.8 | ≤4500 | 47.7 | 150 |
55 | 2.8-3.1 | 5200-6500 | 44.5 | 150 |
63.5 | 2.6-3.0 | ≤4500 | 56.5 | 150 |
63.5 | 3.0-3.3 | 5200-6500 | 54.5 | 150 |
70 | 2.9-3.1 | ≤3200 | 63.5 | 150 |
70 | 3,2 ± 0,1 | 3400-4500 | 62 | 150 |
76 | 3,4-3,8 | ≤4500 | 68.1 | 150 |
89 | 3,9-4,3 | ≤4500 | 80 | 150 |
99 | 4,4-4,8 | ≤4500 | 89.7 | 150 |
Specifica tecnica:
RUNAU Electronics furnisce chips semiconduttori di putenza di diodi di rettificatore è diodi di saldatura.
1. Low voltage drop-statu
2. A metallizazione d'oru serà appiicata per migliurà a pruprietà conduttiva è dissipazione di calore.
3. Mesa di prutezzione doppia strata
Cunsiglii:
1. Per esse u megliu rendimentu, u chip deve esse guardatu in azotu o cundizione di vacuum per impediscenu u cambiamentu di tensione causatu da l'ossidazione è l'umidità di pezzi di molibdenu.
2. Mantene sempre a superficia di chip pulita, per piacè portate guanti è ùn toccu u chip cù mani nude
3. Operate cù cura in u prucessu di usu.Ùn dannu micca a superficia di u bordu di resina di u chip è a capa d'aluminiu in l'area di u polu di a porta è u catodu
4. In teste o incapsulation, per piacè nutate chì u parallelismu, a flatness è a forza di clamp l'attrezzu deve esse coincide cù i normi specificati.U parallelismu poviru risultatu in una pressione irregolare è danni di chip per forza.Se l'eccessu di forza di clamp impone, u chip serà danatu facilmente.Se a forza di clamp imposta hè troppu chjuca, u poviru cuntattu è a dissipazione di u calore affettanu l'applicazione.
5. U bloccu di pressione in cuntattu cù a superficia di cathode di u chip deve esse annealed
Cunsigliu Clamp Force
Dimensione di chips | Cunsigliu di forza di pinza |
(KN)±10% | |
Φ25.4 | 4 |
Φ30 o Φ30.48 | 10 |
Φ35 | 13 |
Φ38 o Φ40 | 15 |
Φ50,8 | 24 |
Φ55 | 26 |
Φ60 | 28 |
Φ63,5 | 30 |
Φ70 | 32 |
Φ76 | 35 |
Φ85 | 45 |
Φ99 | 65 |