Chip di tiristori

Descrizione breve:

Detail di u produttu:

Standard:

• Ogni chip hè pruvatu à TJM , l'ispezione aleatoria hè strettamente pruibita.

•Excellent coerenza di i paràmetri di chips

 

Features:

• Low caduta di tensione in u statu

•Forte resistenza à a fatigue termica

• U gruixu di strata aluminium cathode hè sopra à 10µm

•Doppiu strati prutezzione nantu à mesa


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Runau Fast Switch thyristor chip 3

Chip di tiristori

U chip di tiristori fabbricatu da RUNAU Electronics hè statu inizialmente introduttu da u standard di trasfurmazione GE è a tecnulugia chì cumpleta cù u standard di l'applicazione USA è qualificata da i clienti in u mondu sanu.Hè prisentatu in forti caratteristiche di resistenza à a fatigue termale, longa vita di serviziu, alta tensione, grande corrente, forte adattabilità ambientale, etc. In 2010, RUNAU Electronics hà sviluppatu un novu mudellu di chip tiristori chì combina u vantaghju tradiziunale di GE è a tecnulugia europea, u rendiment è l'efficienza hè stata ottimizzata assai.

Parametru:

Diamitru
mm
Spessore
mm
Tensione
V
Porta Dia.
mm
Cathode Dia internu.
mm
Cathode Out Dia.
mm
Tjm
25.4 1,5 ± 0,1 ≤ 2000 2.5 5.6 20.3 125
25.4 1,6-1,8 2200-3500 2.6 5.6 15.9 125
29.72 2±0,1 ≤ 2000 3.3 7.7 24.5 125
32 2±0,1 ≤ 2000 3.3 7.7 26.1 125
35 2±0,1 ≤ 2000 3.8 7.6 29.1 125
35 2.1-2.4 2200-4200 3.8 7.6 24.9 125
38.1 2±0,1 ≤ 2000 3.3 7.7 32.8 125
40 2±0,1 ≤ 2000 3.3 7.7 33.9 125
40 2.1-2.4 2200-4200 3.5 8.1 30.7 125
45 2,3 ± 0,1 ≤ 2000 3.6 8.8 37.9 125
50.8 2,5 ± 0,1 ≤ 2000 3.6 8.8 43.3 125
50.8 2.6-2.9 2200-4200 3.8 8.6 41.5 125
50.8 2,6-2,8 2600-3500 3.3 7 41.5 125
55 2,5 ± 0,1 ≤ 2000 3.3 8.8 47.3 125
55 2,5-2,9 ≤4200 3.8 8.6 45.7 125
60 2.6-3.0 ≤4200 3.8 8.6 49.8 125
63.5 2.7-3.1 ≤4200 3.8 8.6 53.4 125
70 3.0-3.4 ≤4200 5.2 10.1 59.9 125
76 3,5-4,1 ≤4800 5.2 10.1 65.1 125
89 4-4.4 ≤4200 5.2 10.1 77.7 125
99 4,5-4,8 ≤3500 5.2 10.1 87.7 125

 

Specifica tecnica:

RUNAU Electronics furnisce chips semiconduttori di putenza di tiristori cuntrullati in fase è tiristori di commutazione rapida.

1. Low voltage drop-statu

2. U gruixu di a capa d'aluminiu hè più di 10 microns

3. Mesa di prutezzione doppia strata

 

Cunsiglii:

1. Per esse u megliu rendimentu, u chip deve esse guardatu in azotu o cundizione di vacuum per impediscenu u cambiamentu di tensione causatu da l'ossidazione è l'umidità di pezzi di molibdenu.

2. Mantene sempre a superficia di chip pulita, per piacè portate guanti è ùn toccu u chip cù mani nude

3. Operate cù cura in u prucessu di usu.Ùn dannu micca a superficia di u bordu di resina di u chip è a capa d'aluminiu in l'area di u polu di a porta è u catodu

4. In teste o incapsulation, per piacè nutate chì u parallelismu, a flatness è a forza di clamp l'attrezzu deve esse coincide cù i normi specificati.U parallelismu poviru risultatu in una pressione irregolare è danni di chip per forza.Se l'eccessu di forza di clamp impone, u chip serà danatu facilmente.Se a forza di clamp imposta hè troppu chjuca, u poviru cuntattu è a dissipazione di u calore affettanu l'applicazione.

5. U bloccu di pressione in cuntattu cù a superficia di cathode di u chip deve esse annealed

 Cunsigliu Clamp Force

Dimensione di chips Cunsigliu di forza di pinza
(KN)±10%
Φ25.4 4
Φ30 o Φ30.48 10
Φ35 13
Φ38 o Φ40 15
Φ50,8 24
Φ55 26
Φ60 28
Φ63,5 30
Φ70 32
Φ76 35
Φ85 45
Φ99 65

  • Previous:
  • Next:

  • Scrivite u vostru missaghju quì è mandate à noi