U chip di tiristori fabbricatu da RUNAU Electronics hè statu inizialmente introduttu da u standard di trasfurmazione GE è a tecnulugia chì cumpleta cù u standard di l'applicazione USA è qualificata da i clienti in u mondu sanu.Hè prisentatu in forti caratteristiche di resistenza à a fatigue termale, longa vita di serviziu, alta tensione, grande corrente, forte adattabilità ambientale, etc. In 2010, RUNAU Electronics hà sviluppatu un novu mudellu di chip tiristori chì combina u vantaghju tradiziunale di GE è a tecnulugia europea, u rendiment è l'efficienza hè stata ottimizzata assai.
Parametru:
Diamitru mm | Spessore mm | Tensione V | Porta Dia. mm | Cathode Dia internu. mm | Cathode Out Dia. mm | Tjm ℃ |
25.4 | 1,5 ± 0,1 | ≤ 2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
29.72 | 2±0,1 | ≤ 2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
32 | 2±0,1 | ≤ 2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
35 | 2±0,1 | ≤ 2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
38.1 | 2±0,1 | ≤ 2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
40 | 2±0,1 | ≤ 2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
45 | 2,3 ± 0,1 | ≤ 2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
50.8 | 2,5 ± 0,1 | ≤ 2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
50.8 | 2,6-2,8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
55 | 2,5 ± 0,1 | ≤ 2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
76 | 3,5-4,1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
Specifica tecnica:
RUNAU Electronics furnisce chips semiconduttori di putenza di tiristori cuntrullati in fase è tiristori di commutazione rapida.
1. Low voltage drop-statu
2. U gruixu di a capa d'aluminiu hè più di 10 microns
3. Mesa di prutezzione doppia strata
Cunsiglii:
1. Per esse u megliu rendimentu, u chip deve esse guardatu in azotu o cundizione di vacuum per impediscenu u cambiamentu di tensione causatu da l'ossidazione è l'umidità di pezzi di molibdenu.
2. Mantene sempre a superficia di chip pulita, per piacè portate guanti è ùn toccu u chip cù mani nude
3. Operate cù cura in u prucessu di usu.Ùn dannu micca a superficia di u bordu di resina di u chip è a capa d'aluminiu in l'area di u polu di a porta è u catodu
4. In teste o incapsulation, per piacè nutate chì u parallelismu, a flatness è a forza di clamp l'attrezzu deve esse coincide cù i normi specificati.U parallelismu poviru risultatu in una pressione irregolare è danni di chip per forza.Se l'eccessu di forza di clamp impone, u chip serà danatu facilmente.Se a forza di clamp imposta hè troppu chjuca, u poviru cuntattu è a dissipazione di u calore affettanu l'applicazione.
5. U bloccu di pressione in cuntattu cù a superficia di cathode di u chip deve esse annealed
Cunsigliu Clamp Force
Dimensione di chips | Cunsigliu di forza di pinza |
(KN)±10% | |
Φ25.4 | 4 |
Φ30 o Φ30.48 | 10 |
Φ35 | 13 |
Φ38 o Φ40 | 15 |
Φ50,8 | 24 |
Φ55 | 26 |
Φ60 | 28 |
Φ63,5 | 30 |
Φ70 | 32 |
Φ76 | 35 |
Φ85 | 45 |
Φ99 | 65 |